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 Electron effective masses, nonparabolicity and scattering times in one side delta-doped PHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs quantum wells at high electron density limit 高电子密度极限下单边δ掺杂PHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs量子阱中的电子有效质量、非抛物性和散射时间
相关领域
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期刊：Physica E Low-dimensional Systems and Nanostructures 作者：D. A. Safonov; А. Н. Клочков; А. Н. Виниченко; Yu D Sibirmovsky; Н. И. Каргин; et al 出版日期：2021-04-23 |
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