| 标题 |
 High Linearity and Low RF Loss GaN-on-Si Substrates Achieved Through Interface Engineering 通过界面工程实现高线性和低射频损耗GaN-on-Si衬底
相关领域
线性
材料科学
光电子学
放大器
基质（水族馆）
电阻率和电导率
无线电频率
外延
失真（音乐）
互调
总谐波失真
电子工程
导电体
成核
谐波
热传导
功率半导体器件
电气工程
功率（物理）
热导率
射频功率放大器
数据库管理
温度测量
电导率
温度系数
图层（电子）
|
| 网址 |
求助人暂未提供
|
| DOI |
暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
|
| 其它 | Sachin Yadav; Amin Rassekh; Pieter Cardinael; Sourish Banerjee; Babak Kazemi Esfeh; Uthayasankaran Peralagu |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
嘻嘻哈哈
4星
渡人舟
Ray
huanhuanhuan
Yinxb
谢大喵
小马宝莉
152455
囧囧
学霸业
AN
诸葛明明
你嵙这个期刊没买
parantal
嘟嘟
loii
xing_xing
重要柠檬
v0id
皖公网安备34019202002308
