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 Selective atomic layer reaction between GaN and SiN in HBr neutral beam etching 相关领域
蚀刻（微加工）
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期刊：Journal of Vacuum Science & Technology A Vacuum Surfaces and Films 作者：Daisuke Ohori; T. Sawada; Kenta Sugawara; Masaya Okada; Ken Nakata; et al 出版日期：2021-05-10 |
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