Characterization of deep-level defects and their connection with the performance of InxGa1-xAs/InP p-i-n photodiodes

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标题	Characterization of deep-level defects and their connection with the performance of InxGa1-xAs/InP p-i-n photodiodes
网址	https://doi.org/10.1117/12.186795
DOI	10.1117/12.186795 doi
其它	期刊：Manufacturing Process Control for Microelectronic Devices and Circuits 作者：Anant G. Sabnis; Tatiana V. Torchinskaya; Volodya I. Kooshnirenko; Ludmila V. Shchedrina; Carla J. Miner 出版日期：1994
求助人	zhuhongxia 在 2026-05-11 15:48:06 发布自云南，悬赏 20 积分
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