Scaling Between Channel Mobility and Interface State Density in SiC MOSFETs

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标题	Scaling Between Channel Mobility and Interface State Density in SiC MOSFETs
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx5/16/6051730/06026921.pdf?...
DOI	10.1109/ted.2011.2164800 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：John Rozen; Ayayi C. Ahyi; Xingguang Zhu; John R. Williams; Leonard C. Feldman 出版日期：2011-10-04
求助人	lmj717 在 2026-03-30 20:31:33 发布自广西，悬赏 10 积分
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