Enhancing Hole Mobility in Monolayer WSe2 p-Type Field-Effect Transistors via Process-Induced Compression

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标题	Enhancing Hole Mobility in Monolayer WSe2 p-Type Field-Effect Transistors via Process-Induced Compression
网址	http://dx.doi.org/10.1021/acsnano.6c03313
DOI	10.1021/acsnano.6c03313 doi
求助人	杨112 在 2026-06-12 14:09:00 发布自福建，悬赏 10 积分
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