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 Selective Etching of SiO2 by Radical Recombination through NF3/H2 Pulsed RF Plasma NF3/H2脉冲射频等离子体自由基复合选择性刻蚀SiO2
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期刊：ACS applied electronic materials 作者：Dae Whan Kim; Hong Seong Gil; Wonse Park; Ji Yeon Lee; Doo San Kim; et al 出版日期：2024-12-20 |
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