Uniformity And Reliability Of 1.5 nm Direct Tunneling Gate Oxide MOSFETs

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标题	Uniformity And Reliability Of 1.5 nm Direct Tunneling Gate Oxide MOSFETs
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx3/4913/13565/00623672.pdf?...
DOI	10.1109/vlsit.1997.623672 doi
其它	期刊：Symposium on VLSI Technology 作者： Momose; Nakamura; Ohguro; Yoshitomi; Morifuji; et al 出版日期：2008-07-19
求助人	背后的映寒在 2026-04-23 15:45:54 发布自湖北，悬赏 10 积分
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