Physical model of threshold switching in NbO2 based memristors

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标题	Physical model of threshold switching in NbO2 based memristors 相关领域记忆电阻器自然键轨道材料科学光电子学化学电子工程计算化学工程类密度泛函理论
网址	https://doi.org/10.1039/c5ra19300a
DOI	10.1039/c5ra19300a doi
其它	期刊：RSC Advances 作者：Stefan Slesazeck; Hannes Mähne; Helge Wylezich; Andre Wachowiak; J. Radhakrishnan; et al 出版日期：2015-01-01
求助人	新小pi 在 2026-05-25 19:49:58 发布自美国，悬赏 10 积分
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