| 标题 |
Stress and density of defects in Si‐doped GaN |
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:physica status solidi (a) 作者:Z. Chine; A. Rebey; H. Touati; E. Goovaerts; M. Oueslati; et al 出版日期:2006 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)