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 Effects of Material and Doping Profile Engineering of Source Junction on Line Tunneling FET Operations 源结材料和掺杂分布工程对线隧穿场效应管工作的影响
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期刊：Journal of Semiconductor Technology and Science 作者：Min-Ki Ko; Jang-Hyun Kim; Garam Kim 出版日期：2023-08-31 |
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