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[高分]
500 V breakdown voltage in β ‐Ga 2 O 3 laterally diffused metal‐oxide‐semiconductor field‐effect transistor with 108 MW/cm 2 power figure of merit 功率品质因数为108 MW/cm 2的β-Ga2O3横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的500 V击穿电压
相关领域
击穿电压
功勋
材料科学
光电子学
电容
场效应晶体管
半导体
电气工程
MOSFET
晶体管
功率MOSFET
硅
绝缘体上的硅
电压
物理
电极
工程类
量子力学
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期刊:IET Circuits Devices & Systems 作者:Nesa Abedi Rik; Ali A. Orouji; Dariush Madadi 出版日期:2023-05-03 |
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