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 An Experimentally Verified Behavioral GaN HD-GIT Transistor Model 实验验证的GaN HD-GIT晶体管行为模型
相关领域
晶体管
材料科学
光电子学
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氮化镓
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电子工程
计算机科学
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工程类
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期刊：IEEE Transactions on Power Electronics 作者：Ander Udabe; Igor Baraia-Etxaburu; David Garrido 出版日期：2025-01-22 |
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