| 标题 |
[高分]
 In‐depth analysis of the static behaviour of a SiC MOSFET and of its associated parameters using both compact modelling and physical simulation 使用紧凑建模和物理模拟深入分析SiC MOSFET的静态行为及其相关参数
相关领域
MOSFET
材料科学
计算物理学
统计物理学
电子工程
计算机科学
电气工程
物理
工程类
晶体管
电压
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| 其它 |
期刊：IET Circuits Devices & Systems 作者：Wadia Jouha; Ahmed El Oualkadi; Pascal Dherbécourt; Mohamed Masmoudi; Eric Joubert 出版日期：2019-11-08 |
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