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Pit density reduction for AlN epilayers grown by molecular beam epitaxy using Al modulation method 利用Al调制方法降低分子束外延生长AlN外延层的凹坑密度
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期刊:Chinese Physics B 作者:Huan 欢 Liu 刘; Peng-Fei 鹏飞 Shao 邵; Song-Lin 松林 Chen 陈; Tao 涛 Tao 陶; Yu 羽 Yan 严; et al 出版日期:2024-09-03 |
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