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 Suppression of p-type parasitic channel formation at the interface between the aluminum nitride nucleation layer and the high-resistivity silicon substrate 相关领域
材料科学
成核
氮化物
硅
基质（水族馆）
外延
图层（电子）
氮化硅
光电子学
复合材料
化学
海洋学
地质学
有机化学
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期刊：Surfaces and Interfaces 作者：Po-Jung Lin; Jiazhe Liu; Hongche Lin; Zhiyuan Chuang; Wen-Ching Hsu; et al 出版日期：2022-12-21 |
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