| 标题 |
 Analysis of Drain-Induced Barrier Lowering in InGaZnO Thin-Film Transistors InGaZnO薄膜晶体管漏极诱导势垒降低的分析
相关领域
掺杂剂
薄膜晶体管
材料科学
光电子学
符号
分析化学（期刊）
数学
纳米技术
图层（电子）
化学
兴奋剂
有机化学
算术
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Tae Jun Yang; Je-Hyuk Kim; Chang II Ryoo; Seung Joo Myoung; Changwook Kim; et al 出版日期：2022-11-28 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Nole
秋风
DW
无极微光
Enigma_GEB
嘉心糖
cdercder
xing_xing
aajhajkahna
七听
Criminology34
coolru
牧青
乐空思
老的火龙果
程超智慧
谢雷XIELei
拆迁办禁言
贪玩的秋柔
OK
皖公网安备34019202002308
