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标题
[高分] Demonstration of SiC-MOSFET Embedding Schottky Barrier Diode for Inactivation of Parasitic Body Diode
相关领域
材料科学 二极管 MOSFET 光电子学 肖特基二极管 肖特基势垒 电压 电气工程 晶体管 工程类
网址
DOI
10.4028/www.scientific.net/msf.897.477 doi
其它 期刊:Materials science forum
作者:Shiro Hino; Hideyuki Hatta; Koji Sadamatsu; Yuichi Nagahisa; S. Yamamoto; et al
出版日期:2017-05-15
求助人
清新的沛蓝 在 2026-01-13 18:41:44 发布自浙江,悬赏 60 积分
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