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Implant isolation of GaAs-AlGaAs heterojunction bipolar transistor structures |
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期刊:Applied Physics Letters 作者:F. Ren; S. J. Pearton; W. S. Hobson; T. R. Fullowan; J. Lothian; et al 出版日期:2002-07-26 |
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(2025-6-4)