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Symmetric and Excellent Scaling Behavior in Ultrathin n‐ and p‐Type Gate‐All‐Around InAs Nanowire Transistors |
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期刊:Advanced Functional Materials 作者:Qiuhui Li; Chen Yang; Lin Xu; Shiqi Liu; Shibo Fang; et al 出版日期:2023-02-26 |
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(2025-6-4)