| 标题 |
 N-polar binary GaN/AlN single-crystal high-electron-mobility transistor structures on bulk AlN substrates by molecular beam epitaxy 相关领域
材料科学
异质结
分子束外延
光电子学
外延
氮化物
氮化镓
光致发光
量子阱
宽禁带半导体
砷化镓
镓
图层（电子）
晶体管
铝
分子束
氮化铝
异质结双极晶体管
量子点
电子束感应电流
阴极射线
反射高能电子衍射
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of Vacuum Science & Technology A 作者：Jashan Singhal; Naomi Pieczulewski; Len van Deurzen; Changkai Yu; Huili Grace Xing; et al 出版日期：2026-05-15 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人或该文件上传人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
null
吃葡萄不吐葡萄皮
无极微光
秋风
aaaa
嘻嘻哈哈
L77
Maestro_S
cdercder
aa
学术雷锋
蓝天
风吹麦浪
风格
Criminology34
闪闪的灵
云曦
玛卡巴卡
牧青
忧心的曼凝
皖公网安备34019202002308
