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 Growth of InAs Quantum Dots on InP Substrates Based on MOCVD Technology: Study on the Influence of InAlGaAs Capping Layer Thickness on Luminescent Properties and Band Structure Engineering 相关领域
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期刊：Crystal Growth & Design 作者：Yun Zhang; Haizhu Wang; Dengkui Wang; Xin Zhao; Zungui Ke; et al 出版日期：2026-03-03 |
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