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 Improvement of Single Event Transient Effects for a Novel AlGaN/GaN High Electron-Mobility Transistor with a P-GaN Buried Layer and a Locally Doped Barrier Layer |
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期刊：Micromachines 作者：Juan Xiong; Xintong Xie; Jie Wei; Shuxiang Sun; Xiaorong Luo 出版日期：2024-09-16 |
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