A Novel Trench-Gated Vertical GaN Transistor With Dual-Current-Aperture by Electric-Field Engineering for High Breakdown Voltage

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标题	A Novel Trench-Gated Vertical GaN Transistor With Dual-Current-Aperture by Electric-Field Engineering for High Breakdown Voltage
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2022.3146110
DOI	10.1109/ted.2022.3146110 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Pengxiang Bai; Qi Zhou; Peng Huang; Kuangli Chen; Liyang Zhu; et al 出版日期：2022-02-09
求助人	Irene 在 2026-10-23 14:12:14 发布自重庆，悬赏 10 积分
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