Strain Engineering of a Dual-Gate Structure for Highly Flexible and Transparent MoS2 Thin-Film Transistors with Graphene Electrodes

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标题	Strain Engineering of a Dual-Gate Structure for Highly Flexible and Transparent MoS2 Thin-Film Transistors with Graphene Electrodes 具有石墨烯电极的高柔性透明MoS 2薄膜晶体管双栅结构的应变工程
网址	https://doi.org/10.1021/acsnano.5c11691
DOI	10.1021/acsnano.5c11691 doi
其它	期刊：ACS Nano 作者：Mingu Kang; Jeoungmin Ji; Seohak Park; Su-Bon Kim; Inseong Lee; et al 出版日期：2025
求助人	潘辉在 2025-09-17 11:03:33 发布自贵州，悬赏 10 积分
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