| 标题 |
Experimental and Simulation Study of Single-Event Leakage Current Degradation and Damage Mechanism in 4H-SiC PiN Diodes 4H-SiC PiN二极管单事件漏电流退化及损伤机理的实验与仿真研究
相关领域
降级(电信)
二极管
材料科学
泄漏(经济)
机制(生物学)
碳化硅
电流(流体)
电子工程
光电子学
PIN二极管
工程物理
电气工程
工程类
物理
复合材料
宏观经济学
经济
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Keyu Liu; Zhiwen Zhang; Xiao-Yan Tang; Hao Yuan; Yibo Zhang; et al 出版日期:2024-06-25 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)