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标题
Patterning of silicon nitride for CMOS gate spacer technology. I. Mechanisms involved in the silicon consumption in CH3F/O2/He high density plasmas
用于CMOS栅极间隔技术的氮化硅图案化。I.CH3F/O2/He高密度等离子体中硅消耗的机制
相关领域
钝化 氮化硅 硅 材料科学 应变硅 光电子学 蚀刻（微加工） X射线光电子能谱 图层（电子） 制作 晶体管 氮化物 机车 离子注入 金属浇口 纳米技术 离子 晶体硅 栅氧化层 化学 化学工程 电气工程 非晶硅 替代医学 电压 病理 工程类 医学 有机化学
网址
https://doi.org/10.1116/1.4816466
AI链接 archives-ouvertes.fr hal.sciencedoi.org
DOI
10.1116/1.4816466 doi
其它 期刊：Journal of Vacuum Science & Technology B Nanotechnology and Microelectronics Materials Processing Measurement and Phenomena
作者：Romuald Blanc; F. Leverd; Thibaut David; O. Joubert
出版日期：2013-07-30
求助人
勤劳祥 在 2025-09-13 14:07:55 发布自上海，悬赏 10 积分
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