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 Patterning of silicon nitride for CMOS gate spacer technology. I. Mechanisms involved in the silicon consumption in CH3F/O2/He high density plasmas 用于CMOS栅极间隔技术的氮化硅图案化。I.CH3F/O2/He高密度等离子体中硅消耗的机制
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期刊：Journal of Vacuum Science & Technology B Nanotechnology and Microelectronics Materials Processing Measurement and Phenomena 作者：Romuald Blanc; F. Leverd; Thibaut David; O. Joubert 出版日期：2013-07-30 |
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