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 InAlGaN/GaN with AlGaN back-barrier HEMT technology on SiC for Ka-band applications 用于Ka波段应用的SiC上具有AlGaN背势垒HEMT技术的InAlGaN/GaN
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期刊：International Journal of Microwave and Wireless Technologies 作者：S. Piotrowicz; Jean-Claude Jacquet; Piero Gamarra; O. Patard; C. Dua; et al 出版日期：2017-11-26 |
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