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标题
InAlGaN/GaN with AlGaN back-barrier HEMT technology on SiC for Ka-band applications
用于Ka波段应用的SiC上具有AlGaN背势垒HEMT技术的InAlGaN/GaN
相关领域
材料科学 高电子迁移率晶体管 光电子学 负载拉力 毫米 异质结 Ka波段 极高频率 基质（水族馆） 功率密度 功率（物理） 电气工程 电压 晶体管 光学 计算机科学 电信 物理 放大器 工程类 地质学 海洋学 量子力学 CMOS芯片
网址
https://doi.org/10.1017/s175907871700112x
DOI
10.1017/s175907871700112x doi
其它 期刊：International Journal of Microwave and Wireless Technologies
作者：S. Piotrowicz; Jean-Claude Jacquet; Piero Gamarra; O. Patard; C. Dua; et al
出版日期：2017-11-26
求助人
XY 在 2025-09-08 10:35:50 发布自北京，悬赏 10 积分
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