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 Ultrawide Bandgap Diamond/ε-Ga2O3 Heterojunction pn Diodes with Breakdown Voltages over 3 kV 击穿电压超过3 kV的超宽带隙金刚石/ε-Ga2O3异质结pn二极管
相关领域
异质结
光电子学
材料科学
钻石
半导体
二极管
兴奋剂
带隙
击穿电压
电接点
纳米技术
电压
电气工程
工程类
复合材料
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| 其它 |
期刊：Nano Letters 作者：Jianguo Zhang; Ningtao Liu; Li Chen; Xun Yang; Haizhong Guo; et al 出版日期：2024-12-16 |
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