From Accelerated to Operating Conditions: How Trapped Charge Impacts on TDDB in SiO₂ and HfO₂ Stacks

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标题	From Accelerated to Operating Conditions: How Trapped Charge Impacts on TDDB in SiO₂ and HfO₂ Stacks 相关领域随时间变化的栅氧化层击穿材料科学电荷（物理）光电子学工程物理电气工程核工程物理工程类晶体管电压栅氧化层量子力学
网址	https://doi.org/10.1109/tdmr.2024.3384056
DOI	10.1109/tdmr.2024.3384056 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 作者：Sara Vecchi; Andrea Padovani; Paolo Pavan; Francesco Maria Puglisi 出版日期：2024-04-01
求助人	夏召庆在 2025-11-10 16:44:02 发布自湖北，悬赏 10 积分
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