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标题
SiC superjunction MOSFET with Schottky diode for improving short-circuit and reverse recovery ruggedness
相关领域
肖特基二极管 MOSFET 光电子学 材料科学 二极管 反向偏压 步进恢复二极管 电气工程 工程物理 物理 工程类 电压 晶体管
网址
https://doi.org/10.1016/j.micrna.2024.207847
DOI
10.1016/j.micrna.2024.207847 doi
其它 期刊：Micro and Nanostructures
作者：Wei Cao; Sujie Yin; Xinglai Ge; Dong Liu
出版日期：2024-04-15
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LL 在 2025-10-24 16:14:40 发布自湖北，悬赏 10 积分
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