| 标题 |
 Control polarity of gallium nitride on Si (1 1 1) using atomic layer annealing and thermal atomic layer deposition 相关领域
原子层沉积
原子层外延
材料科学
氮化镓
图层（电子）
退火（玻璃）
镓
热的
极性（国际关系）
纳米技术
化学
冶金
物理
热力学
生物化学
细胞
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Applied Surface Science 作者：SeongUk Yun; Ping‐Che Lee; Jeffrey Spiegelman; Andrew C. Kummel 出版日期：2024-08-22 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
浮游
Criminology34
asdfzxcv
无极微光
Twonej
专注的问寒
小乔
香蕉诗蕊
彭于彦祖
zgrmws
niNe3YUE
lsl
Jared
进击的PhD
芳菲依旧
eric888
tuanheqi
BowieHuang
子车茗
快乐滑板
个性的紫菜
ccm
spc68
sxb10101
皖公网安备34019202002308
