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 Analysis and Performance Trade-Offs of State-of-the-Art 4H-SiC Trench MOSFET Technology 最先进的4H-SiC沟槽MOSFET技术的分析和性能权衡
相关领域
MOSFET
沟槽
国家（计算机科学）
材料科学
工程物理
光电子学
计算机科学
电气工程
晶体管
工程类
纳米技术
电压
算法
图层（电子）
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期刊： 作者：Kyrylo Melnyk; Peter Michael Gammon; Arne Benjamin Renz; Qinze Cao; Vishal Ajit Shah; et al 出版日期：2024-10-20 |
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