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Analysis and Performance Trade-Offs of State-of-the-Art 4H-SiC Trench MOSFET Technology

MOSFET 沟槽 国家（计算机科学） 材料科学 工程物理 光电子学 计算机科学 电气工程 晶体管 工程类 纳米技术 电压 算法 图层（电子）
作者
Kyrylo Melnyk,Peter Michael Gammon,Arne Benjamin Renz,Qinze Cao,Vishal Ajit Shah,Marina Antoniou
标识
DOI：10.1109/ecce55643.2024.10861529
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