Improved Interface Quality and Stability of AlGaN/GaN Metal–Insulator–Semiconductor High-Electron-Mobility Transistors Using N2-Annealed Atomic-Layer-Deposited SiNx Gate Dielectrics

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标题	Improved Interface Quality and Stability of AlGaN/GaN Metal–Insulator–Semiconductor High-Electron-Mobility Transistors Using N2-Annealed Atomic-Layer-Deposited SiNx Gate Dielectrics
网址	https://doi.org/10.1021/acsami.5c23296
DOI	10.1021/acsami.5c23296 doi
其它	期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Kexin Deng; Sen Huang; Xinhua Wang; Qimeng Jiang; Fuqiang Guo; et al 出版日期：2026
求助人	waitingfor 在 2026-02-21 16:38:07 发布自海南，悬赏 10 积分
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