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标题
Highlighting the role of 3C–SiC in the performance optimization of (Al,Ga)N‒based High‒Electron mobility transistors
突出3C-SiC在（Al，Ga）N基高电子迁移率晶体管性能优化中的作用
相关领域
材料科学 光电子学 基质（水族馆） 碳化硅 掺杂剂 图层（电子） 晶体管 成核 硅 高电子迁移率晶体管 电子迁移率 扫描电子显微镜 纳米技术 兴奋剂 复合材料 电气工程 电压 有机化学 化学 工程类 地质学 海洋学
网址
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2023.107977
AI链接 hal.sciencedoi.org
DOI
10.1016/j.mssp.2023.107977 doi
其它 期刊：Materials Science in Semiconductor Processing
作者：Micka Bah; Daniel Alquier; Marie Lesecq; N. Defrance; Damien Valente; et al
出版日期：2023-11-22
求助人
自信柠檬 在 2025-12-04 12:45:11 发布自湖北，悬赏 10 积分
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