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 Fermi level depinning in metal/Ge Schottky junction for metal source/drain Ge metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor application 用于金属源极/漏极锗金属氧化物半导体场效应晶体管的金属/锗肖特基结中的费米能级去钉扎
相关领域
肖特基势垒
肖特基二极管
金属半导体结
欧姆接触
材料科学
工作职能
场效应晶体管
光电子学
费米能级
凝聚态物理
半导体
金属
晶体管
二极管
图层（电子）
纳米技术
电气工程
冶金
物理
工程类
电压
量子力学
电子
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| 其它 |
期刊：Journal of Applied Physics 作者：Masaharu Kobayashi; Atsuhiro Kinoshita; Krishna C. Saraswat; H.‐S. Philip Wong; Yoshio Nishi 出版日期：2009-01-15 |
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