The Effects of Poly Corner Etch Residue on Advanced Finfet Device Performance

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标题	The Effects of Poly Corner Etch Residue on Advanced Finfet Device Performance 多边形角蚀残留物对先进Finfet器件性能的影响相关领域材料科学制作残留物（化学）光电子学下降（电信）逻辑门外延电子工程工程物理复合材料电气工程化学工程类医学生物化学替代医学病理图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1109/cstic52283.2021.9461583
DOI	10.1109/cstic52283.2021.9461583 doi
其它	期刊：作者：Qingpeng Wang; Yu De Chen; Cheng Li; Rui Bao; Jacky Huang; et al 出版日期：2021-03-14
求助人	秋成威在 2025-01-23 15:20:57 发布自广东，悬赏 10 积分
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