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 300 mm MOCVD 2D CMOS Materials for More (Than) Moore Scaling 用于大于摩尔缩放的300 mm MOCVD 2D CMOS材料
相关领域
金属有机气相外延
PMOS逻辑
化学气相沉积
CMOS芯片
缩放比例
材料科学
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外延
几何学
图层（电子）
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期刊：2022 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits) 作者：K. Maxey; Carl H. Naylor; Kevin O’Brien; Ashish V. Penumatcha; A. Oni; et al 出版日期：2022-06-12 |
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