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Investigation of Threshold Voltage Instability in p-GaN Gate HEMTs Under Surge Current Stress 相关领域
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期刊:2024 IEEE 17th International Conference on Solid-State & Integrated Circuit Technology (ICSICT) 作者:Xiaoming Wang; Yu Shi; David Zhou; Haizhao Zhi; Yun Xia; et al 出版日期:2025-01-17 |
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