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 Passivation of Interface Defects in GaN-Based Metal–Insulator-Semiconductor Devices via In Situ Combined Plasma Pretreatments 原位联合等离子体预处理法对GaN基金属绝缘体半导体器件界面缺陷进行了保护
相关领域
材料科学
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期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Xiaohong Zeng; Ying Wu; Jinteng Zhang; Shicheng Han; Shicheng Yang; et al 出版日期：2025-05-15 |
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