| 标题 |
 Suppressing Intrinsic Defects via Ag Doping Enables High‐Performance InSe Field‐Effect Transistors 相关领域
材料科学
光电子学
纳米电子学
兴奋剂
散射
晶体管
结晶度
载流子散射
表征（材料科学）
纳米技术
电子迁移率
场效应晶体管
电子
Valleytronics公司
宽禁带半导体
格子（音乐）
砷化镓
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Small Methods 作者：Zhenhua Wang; Zheng Zhang; Hao Ji; Hengji Li; Zonghao Wang; et al 出版日期：2026-07-31 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Kao
v0id
cdercder
大力的冬萱
prigogin
殷勤的紫槐
丰富语蕊
慈祥的又菱
arniu2008
明亮尔蓝
aaaa
ale
嘉心糖
行走的荷尔蒙
Oracle
pluto
OK
干净的琦
完美巧凡
Ov5
皖公网安备34019202002308
