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Cryogenic HfOₓ-Based Resistive Memory With a Thermal Enhancement Capping Layer |
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Zhenqi Hao; B. Gao; Minghong Xu; Qi Hu; Wenbin Zhang; et al 出版日期:2021-09-01 |
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(2025-6-4)