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标题
Cryogenic HfOₓ-Based Resistive Memory With a Thermal Enhancement Capping Layer
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DOI
10.1109/led.2021.3099725 doi
其它 期刊:IEEE Electron Device Letters
作者:Zhenqi Hao; B. Gao; Minghong Xu; Qi Hu; Wenbin Zhang; et al
出版日期:2021-09-01
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道德精 在 2026-08-10 01:08:46 发布自江西,悬赏 10 积分
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