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 Influence of lattice polarity of nitrogen and aluminum doping on 4H-SiC epitaxial layer 相关领域
解吸
极性（国际关系）
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期刊：Microelectronic Engineering 作者：Kazutoshi Kojima; Satoshi Kuroda; Hajime Okumura; Kazuo Arai 出版日期：2005-11-19 |
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