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 Gate structuring on n-type bilayer MoS2 field-effect transistors for ultrahigh current density 相关领域
材料科学
晶体管
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硅
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工程物理
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期刊：Nature Materials 作者：Junyoung Kwon; Kyoung Yeon Kim; Dongwon Jang; Min Seok Yoo; Alum Jung; et al 出版日期：2026-01-09 |
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