Gate-tunable logic and memory inversion via field-effect and conductive filament switching in Ga2O3 synaptic devices

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标题	Gate-tunable logic and memory inversion via field-effect and conductive filament switching in Ga2O3 synaptic devices 相关领域材料科学导电体反演（地质）蛋白质丝光电子学凝聚态物理逻辑门电阻率和电导率纳米技术和大门
网址	https://doi.org/10.1016/j.mtphys.2025.101894
DOI	10.1016/j.mtphys.2025.101894 doi
其它	期刊：Materials Today Physics 作者：Seung Hun Lee; Dabin Jeon; Sung-Nam Lee 出版日期：2025-10-15
求助人	WESTBROOK 在 2026-05-13 17:35:50 发布自湖北，悬赏 10 积分
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