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 N-Polar GaN HEMT With Deep Wet Etched Recess Demonstrating Record G-Band Performance at 170 GHz 相关领域
高电子迁移率晶体管
材料科学
光电子学
氮化镓
宽禁带半导体
蚀刻（微加工）
砷化镓
锌化合物
电气工程
电容
电子工程
逻辑门
温度测量
电击穿
无线电频率
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Emre Akso; Henry Collins; Christopher J. Clymore; Sunil Choudhary; Kamruzzaman Khan; et al 出版日期：2026-04-21 |
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