| 标题 |
Effect of inserted AlxGa1-xN layer on the characteristic of double-channel n-Al0.3Ga0.7N/GaN/i-AlxGa1-xN/GaN HEMT |
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| DOI |
10.7498/aps.71.20220403
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期刊:Acta Physica Sinica 作者:Jing Cai; Ruo-He Yao; Kui-Wei Geng 出版日期:2022-01-01 |
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(2025-6-4)