| 标题 |
Oxygen vacancy migration engineering for CMOS-compatible hafnium-based ferroelectric synaptic devices |
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10.26599/nr.2026.94909060
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期刊:Nano Research 作者:Jinna Zhang; Yunzhe Zheng; Jiajie Yu; Jialin Meng; Hao Zhu; et al 出版日期:2026-07-31 |
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(2025-6-4)