Interface-Engineered HfO2/Al2O3 Nanolaminate Gate Insulators for InGaZnO Thin-Film Transistors and 2T0C DRAM Applications

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标题	Interface-Engineered HfO2/Al2O3 Nanolaminate Gate Insulators for InGaZnO Thin-Film Transistors and 2T0C DRAM Applications
网址	https://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/acsaelm.5c01042
DOI	10.1021/acsaelm.5c01042 doi
其它	期刊：ACS Applied Electronic Materials 作者：Sang Han Ko; Sung-Min Yoon 出版日期：2025-08-27
求助人	lxm 在 2026-07-22 17:13:51 发布自河南，悬赏 10 积分
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